三星:不会减产记忆体、将额外打造7奈米EUV生产线

2020-06-14    收藏686
点击次数:771

三星:不会减产记忆体、将额外打造7奈米EUV生产线虽然日本限制关键科技原料出口至南韩,对业界投下震撼弹,但三星电子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并无减产DRAM等记忆体晶片的打算,还说日本出口限制令的冲击难以估算,只能尽量把伤害降到最低。

BusinessKorea、东亚日报报导,三星一名高层7月31日在第二季(4-6月)财报电话会议上表示,日本政府并不是完全禁止半导体材料出口,只是增添了新的执照申请程序,影响了三星的日常营运。日本政府未来究竟会怎幺做,还是充满不确定性,难以估算对公司的影响。

该名高层并说,「目前不考虑减少晶圆产出,生产线将弹性运作,以因应需求波动。」

在谈到下半年的记忆体库存变化时,三星高层透露,「今年下半年库存将会下滑,但难以预测下降的速度有多快,因为外部环境仍有不确定因素。」他并说,NAND型快闪记忆体库存开始大幅下降,预料将在第三季来到适当的水位。

在被问到近来记忆体报价突然跳升的现象时,该名高层说,此一上升趋势是否会影响到长期合约价,还是很难说。

展望明(2020)年,三星高层表示,记忆体设备的投资方案还在规划中,位于中国西安的厂房可望在今年底前竣工,南韩的平泽厂则会在明年底前完工。

在专业晶圆代工方面,三星高层指出,华城厂的极紫外光(EUV)製程生产线预计明年上半年运作、一如原先规划,该公司还将另外打造一条7奈米EUV製程生产线、一条影像感测器生产线(S4)。

他并说,三星实验室正在评估一项设备,看看是否能把EUV製程应用到第三代10奈米级(1z-nm)DRAM的生产上面。

在被问到面板生产线是否已部分关闭时,三星高层说,「我们会依据市况及营运策略,弹性运作生产线。」

SK海力士称将下砍DRAM产能、NAND投片量

受到记忆体价格疲弱、日韩出现贸易纠纷的双重冲击,南韩记忆体大厂SK海力士(SK Hynix)7月25日公布的第二季(4-6月)营业净利大减了89%之多,该公司也决定调整生产计画。

英国金融时报、路透社、韩联社报导,SK海力士7月25日表示,为了因应疲软的晶片市况,明(2020)年的投资额将「明显低于」(significantly lower)今年。另外,DRAM产能将从Q4起调降,今年NAND型快闪记忆体的晶片投入(wafer input)减幅会从之前的10%修正至15%,南韩两座晶圆厂的扩产时间也会重新检视。

SK Hynix指出,需求复甦程度不符预期,报价跌幅也比想像还要深,该公司计画有弹性地调整生产与投资计画,因应充满挑战的市场环境。(相关文章见此)

*温文耳语:本文仅供参考之用,并不构成要约、招揽或邀请、诱使、任何不论种类或形式之申述或订立任何建议及推荐,读者务请运用个人独立思考能力,自行作出投资决定,如因相关建议招致损失,概与本站、编者及作者无涉。

相关文章  RELEVANT ARTICLES